BJT相关论文
利用硅功率双极晶体管(Si BJT)的小信号S参数及瞬态I-V特性的测量数据,本文提出建立一种BJT大信号分析模型及其内匹配电路设计方法......
双极性结型三极管是电子学历史上具有革命意义的一项发明,它能够放大信号,并且具有良好的功率控制、高速工作以及耐久能力。文章从......
三极管既包括双极型晶体管(BJT)，又包括场效应管(FET)，而场效应管按结构又可分为结型(JEFT)和绝缘栅型(IGFET)两种。绝缘栅型场效应......
本文提出一种利用双极晶体管(BJT)静态和动态参数相关性,准确提取器件动态模型参数的新方法,并验证了该方法的可行性和实用性。
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近日,安森美半导体宣布,进一步拓展其在业内领先的低饱和电压(Vce(sat))双极结晶体管(BJT)产品系列至WDFN6、WDFN3、SOT-23、SOT-5......
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SiC BJT代表了最具吸引力的SiC开关结构之一,具有很低的电阻系数、较快的开关速度以及较小的温度依赖性。其良好的短路能力及不存......
为了获得4H-SiC横向BJT器件高耐压下的高电流增益,文中通过降低漂移区的掺杂浓度(NDRI),使得漂移区内靠近基极方向的电场强度降低,......
前级采用超β双极晶体管(BJT)的低噪声宽带光纤接收器已设计成功。即使采用商品供应的超β器件在这里不是最理想的,但用于中等带宽......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
A curvature calibrated bandgap reference with base-emitter current compensating in a 0.13/tm CMOS pr
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EMP injection damage effects of a bipolar transistor and its relationship between the injecting volt
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近年来日资企业纷纷进驻珠三角地区,从而形成了对日语人才需求量急增的趋势。本文介绍了广东培正学院日语专业以市场需求为导向,从......
对Hefner的IGBT模型静态部分进行了详细的理论分析.由于IGBT中含有宽基极、低增益的晶体管，因此采用双极性传输方程来描述IGBT电流.......
CHMSL代表中央高位刹车灯,安装在车辆左侧和右侧制动车灯（也称为刹车灯）的上方。根据美国国家高速公路交通安全管理局的规定,当刹车......
从基本单元的设计和电路的组成来分析VLSI的设计一般规则，然后对TIL、ECL、PL、CMOS等基本门电路加以讨论，最后简单介绍了半定制、全......
晶体三极管是模拟电子技术课程中的基础元器件,有着复杂的非线性输入输出特性,既是教学重点,也是教学难点.针对教学中难以用数学方......
本文介绍了意法半导体公司（STMicroelectronics）首次提出的1200V/20A的SiC MOSFET,并与1200V常闭型SiC JFET（结型场效应晶体管）和1200V......
一段你刚开始进入这行，对PMOS／NMOS／BJT什么的只不过有个大概的了解，各种器件的特性你也不太清楚，具体设计成什么样的电路你也没什么主......
本文根据加MESFET或BJT的三端口结构,解决了不同端口基准的[S]参数转换,为微波电路设计提供了一个有用的基本工具模块.......
本文讨论双极型晶体管（ＢＪＴ）器件模型参数提取的最优化方法，提出了一种解决全局最优的组合算法，与通常的Ｇａｕｓｓ－Ｎｅｗｔｏｎ法相比，其突出的优点是：在计算过程中......
本文为晶体管引入小信号跨导模型,从而使晶体管的小信号模型与场效应管的小信号模型取得一致,低频模型与高频模型获得统一,电路的......
对于小尺寸的多晶硅发射区双极晶体管，该文在忽略基区与单晶发射区少子复合的条件下，根据单晶与多晶硅界面复合与隧穿等不同机制的共......
本文提出一种新的双极型压控晶体管模型，并说明其工作原理。这种器件有两种载流子参与导电，有较大的电流密度和功率，导电能力又受电压......
文章借助Matlab工具对超大规模集成电路（VLSIC）中小尺寸双极型晶体管（BJT）的共基极接法、共发射极接法的输入、输出特性进行了数值分析......
便携式产品(如手机、数码照相机、数码摄像机、DVD播放器、MP3播放器和个人数字助理)的设计人员一直面临着压力,既要缩减材料成本,......
随着BJT尺寸的缩小以及BJT广泛应用于高速和RF电路,有效及准确的BJT电路设计要求更加精确的等效电路模型。通过介绍模型的基本原理......
比较了经剂量为400 krad(Si)的Y射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流电学性能的变化.通常SiGe HBT辐照后的Ib增加,Ic下降,直流放大倍数......
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对BJT参数测试仪中数控微电流源进行研究与设计。系统采用Howland电流泵构成高精度V／I转换器，V／I转换器输入为数／模转换器的输出电压，微......
传统基准电路主要采用带隙基准方案，利用二级管PN结具有负温度系数的正向电压和具有正温度系数的yBE电压得出具有零温度系数的基准......
主要介绍了三极管反向偏压安全工作区（RBs0A）测试仪的硬件结构和相应的软件实现。该测试仪主要基于三极管的RBSOA及三极管的开关原理......
通过介绍数字式继电保护装置的A/D转换原理、CPU原理、Trip原理和组成,以及利用Multisim软件技术建立仿真模型的方法,全面阐述数字......
介绍了一种应用于低电压的微波双极性晶体管放大器的电路设计方法。通过分析微波晶体管的模型,比较了小信号法、负载牵引法和文中......
随着绝缘栅双极性晶体管（IGBT）使用的电压等级越来越高,关于绝缘栅双极性晶体管（IGBT）开关暂态的研究显得尤为重要。在机理模型的基础......
本设计采用单片机AT89C2051作为中心控制单元，设计出了自动判别三极管管脚、类型的电路。该电路能迅速自动识别常见中小功率三极管......
保护电路是电源管理芯片的一个重要环节,保证芯片内部模块的正常工作。相对于传统的过温保护电路,提出一种新型的结构简单且功耗低......
以BJT型OP07号运算放大器为研究对象，建立了一套适合集成运算放大器电磁脉冲损伤效应实验的系统和方法。通过方波脉冲直接注入，研究......
三维全热程热电一体地模拟了Si BJT微波功率器件，热场计算包括从芯片的有源区经芯片－粘接层－基片－粘接层－底座直到固定于70度的安装台面......
The change of electrical performances of silicon-germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistor (HBT) andSi bipolar ......
比较了电子和γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流增益β的变化.在Vbe≤0.5V时,较高剂量辐照时SiGe HBT的放大倍数辐照损伤因子d(β)......
对微波BJT器件的级联噪声模型(En-In)以及噪声参数的提取进行了研究.从复相关理论出发,求得噪声参数Fmin,Rn和Γopt的表达式.根据......
研究了BJT的反向导通问题,分析了BJT在反向导通情况下应用于电视机行扫描电路和黑电平箝位电路的两个实例.......
在传统双极性晶体管（简称BJT）的Gummel曲线中电流增益β都只有一个波峰（简称单峰）,然而现在实验室实测数据得到BJT的增益特征曲线出现......
对微波晶体管振荡器的相位噪声进行了分析。为达到压控振荡器的低相位噪声要求,采用了低电平振荡经放大后输出的设计方案。实现的......
